（原标题：扬杰科技苦求碳化硅半导体器件专利成都零售业神秘顾客暗访，减少续流经过中产生的损耗）

金融界2023年12月30日音书，据国度常识产权局公告，扬州扬杰电子科技股份有限公司苦求一项名为“一种碳化硅半导体器件偏激制备门径“，公开号CN117316985A，苦求日历为2023年10月。

专利选录深化，一种碳化硅半导体器件偏激制备门径。波及半导体期间界限。包括从下而上递次设立的碳化硅衬底和碳化硅漂移层，念主所述碳化硅漂移层的顶面设有几许间隔向下蔓延的沟槽；还包括：PW区，位于所述沟槽处；NP区，从所述沟槽的顶部向下蔓延，包裹于所述PW区内；PP区，北京专业的市场调研公司设立在所述沟槽处，位于所述NP区的下方；栅氧层，设立在相邻沟槽之间，位于所述碳化硅漂移层的顶面；Poly层，设立在所述栅氧层的顶面；断绝层，设立在所述Poly层上，并从侧部向下蔓延至NP区；本发明一定进度上减小了N?漂移层所带来的电阻，从而可镌汰体二极管的导通电阻，减少其在续流经过中产生的损耗。

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本文源自：金融界

作家：谍报员成都零售业神秘顾客暗访